Cookie-Einstellungen
Diese Website benutzt Cookies, die für den technischen Betrieb der Website erforderlich sind und stets gesetzt werden. Andere Cookies, die den Komfort bei Benutzung dieser Website erhöhen, der Direktwerbung dienen oder die Interaktion mit anderen Websites und sozialen Netzwerken vereinfachen sollen, werden nur mit Ihrer Zustimmung gesetzt.
Konfiguration
Technisch erforderlich
Diese Cookies sind für die Grundfunktionen des Shops notwendig.
"Alle Cookies ablehnen" Cookie
"Alle Cookies annehmen" Cookie
Ausgewählter Shop
CSRF-Token
Cookie-Einstellungen
Individuelle Preise
Kunden-Wiedererkennung
Kundenspezifisches Caching
PayPal-Zahlungen
Session
Währungswechsel
Komfortfunktionen
Diese Cookies werden genutzt um das Einkaufserlebnis noch ansprechender zu gestalten, beispielsweise für die Wiedererkennung des Besuchers.
Merkzettel
Statistik & Tracking
Endgeräteerkennung
Google Analytics
Partnerprogramm
TOSHIBA S2530A POWER Transistor Silizium NPN 1000V 10A 100W TO3 Lot mit 2 Stück
- Artikel-Nr.: SW10578
Zum Verkauf steht hier ein
2 Stück Lot
NPN Leistungstransistor
S2530A
von... mehr
Produktinformationen "TOSHIBA S2530A POWER Transistor Silizium NPN 1000V 10A 100W TO3 Lot mit 2 Stück"
Zum Verkauf steht hier ein
2 Stück Lot
NPN Leistungstransistor
S2530A
von TOSHIBA
Unbenutzt und neu
New old stock ( NOS )
Technische Daten:
Type Designator: S2530A
Material of Transistor: Silizium
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 100 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 1000 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 450 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 10 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 15
Package: TO-3
Material of Transistor: Silizium
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 100 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 1000 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 450 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 10 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 15
Package: TO-3
Zuletzt angesehen