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BUR50S Transistor Leistungstransistor ST Microelectronics NPN 350W
- Artikel-Nr.: SW10987
Zum Verkauf steht hier ein
BUR 50 S
von STMicroelectronics
unbenutzte Neuware... mehr
Produktinformationen "BUR50S Transistor Leistungstransistor ST Microelectronics NPN 350W"
Zum Verkauf steht hier ein
BUR 50 S
von STMicroelectronics
unbenutzte Neuware
new old stock ( NOS )
Type Designator: BUR50S
Material of Transistor: Si
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 350 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 200 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 125 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 10 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 70 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 200 °C
Transition Frequency (ft): 10 MHz
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 20
Package: TO3
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